国产光刻胶大进步：90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

 

国产光刻胶大进步：90-28nm已支持存储芯片、逻辑芯片

 

  众所周知，在芯片的制造过程中，需要的设备、材料非常多。其中像光刻机、光刻胶都是当前严重卡脖子的产品。拿光刻胶来说，分为5种，分别是g线、i线、KrF、ArF、EUV。其中g线、i线主要用于250nm以上工艺，国内的自给率约为20％。

  KrF一般用于250nm－130nm工艺，国内的自给率约为5％，ArF一般用于130nm－14nm，2021年之前国内就无法生产，主要靠进口，至于EUV光刻胶主要用于7nm及以下工艺，就更加不用说了，完全靠进口。

  不过从去年开始，国内几大光刻胶厂商在光刻胶上面有了较大的进步，已经研发出了ArF光刻胶，比如南大光电等，去年下半年时表示已经用于50nm制程的存储芯片上，通过了客户验证。

  而近日，南大光电表示，旗下用于90nm－28nm制程的ArF光刻胶已分别通过存储芯片制造和逻辑芯片制造企业验证。

  意思是其研发的ArF光刻胶，已经可以用于最高工艺为28nm的存储芯片和逻辑芯片了，毕竟验证通过后，就可以出货给客户了。

  南大光电甚至表示，其中一家客户从去年8月份起，就一直正常购买公司的光刻胶产品，只是因为是客制化产品，暂未形成规模销售。

  光刻胶作为芯片制造中必不可少的材料，用量虽然少，但非常重要，没有其它替代品，之前一直被日本厂商垄断着，韩国都曾被卡住了脖子。

  如今中国厂商能够推出用于28nm的ArF光刻胶，真的是一个重大进步，相信接下来继续推进，达到14nm也不会太难了。

  也希望整个国产半导体产业链，也能够像光刻胶一样，先进推进到28nm，再推进到14nm，那样也就没有太多担心的了，毕竟搞定14nm，就能够生产全球至少80％的芯片了。